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此外，“基于常開(kāi)型 GaN HEMT 技術(shù)，公司研發(fā)技術(shù)團隊還完成了器件不同技術(shù)路線(xiàn)工藝流程的開(kāi)發(fā)；針對GaAs無(wú)源器件模型，開(kāi)發(fā)了無(wú)源器件成套工藝，完成薄膜電阻、平板電容、螺旋電感等器件的建模。公司已經(jīng)具備GaN HEMT 、GaAs無(wú)源器件共性基礎工藝能力，正在進(jìn)一步優(yōu)化器件性能，可同步對接研發(fā)流片需求”，光電子先導院技術(shù)人員說(shuō)。

據悉，本屆光博會(huì )，來(lái)自海內外的1200家光電行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)齊聚于此，共同探索光電行業(yè)的未來(lái)發(fā)展方向，聚焦新技術(shù)、新趨勢，成為詮釋“新質(zhì)生產(chǎn)力”的風(fēng)向標。

“光子行業(yè)的發(fā)展，將推動(dòng)信息技術(shù)和新型工業(yè)化質(zhì)的飛躍，是新質(zhì)生產(chǎn)力的典型代表?！标兾鞴怆娮酉葘г嚎偨?jīng)理楊軍紅認為，隨著(zhù)人工智能、航空航天、智能制造、新能源、生命科學(xué)的蓬勃發(fā)展，光子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也逐漸進(jìn)入快速增長(cháng)期。

陜西光電子先導院成立于2015年，配備有超百人的完整工藝技術(shù)團隊，擁有先進(jìn)的化合物芯片關(guān)鍵設備100余臺（套）和千級、萬(wàn)級、十萬(wàn)級潔凈廠(chǎng)房8000㎡（研發(fā)平臺5000㎡，中試平臺3000㎡），是集研發(fā)及中試服務(wù)為一體的光電芯片領(lǐng)域專(zhuān)業(yè)服務(wù)平臺。

作為陜西省光子產(chǎn)業(yè)鏈“鏈主”企業(yè)，陜西光電子先導院以“暢鏈”和“延鏈”進(jìn)行帶動(dòng)，目前陜西全省光子產(chǎn)業(yè)企業(yè)已發(fā)展到300余家、產(chǎn)值300余億元，形成了光子領(lǐng)域全國創(chuàng )新版圖中的“陜西生產(chǎn)力”。

楊軍紅表示，“光電子先導院一直把為光子企業(yè)提供研發(fā)、中試、測試、工程化服務(wù)作為核心價(jià)值，先進(jìn)光子器件工程創(chuàng )新平臺為更多項目提供‘化合物+硅光芯片’全流程服務(wù)，吸引更多的光電子芯片創(chuàng )新主體融通匯集、聚鏈成群?！?/p>

為了拓展工程平臺“1+N”的服務(wù)模式，除了VCSEL主平臺工藝的開(kāi)發(fā)外，陜西光電子先導院在2023年還同步進(jìn)行砷化鎵IPD無(wú)源器件和GaN HEMT共性基礎工藝平臺開(kāi)發(fā)。截至2023年末，已完成了基礎工藝的開(kāi)發(fā)，并經(jīng)過(guò)多輪流片驗證，工藝過(guò)程參數均符合指標要求，工藝過(guò)程可控。

為進(jìn)一步培育光子產(chǎn)業(yè)競爭新優(yōu)勢，陜西光電子先導院將持續追加投資，對現有平臺進(jìn)行升級。一方面，擬對現有化合物光子器件中試平臺進(jìn)行升級擴能，新增高可靠車(chē)規級激光器芯片工藝設備；另一方面擬新建先進(jìn)硅光集成技術(shù)創(chuàng )新平臺，新增硅光工藝設備，開(kāi)發(fā)先進(jìn)硅光集成芯片工藝技術(shù)，具備硅光工藝研發(fā)、中試能力。

據介紹，擴能升級完成后，光電子先導院將實(shí)現“化合物+硅光芯片”全流程的研發(fā)、試驗、中試能力，有效助力解決光子領(lǐng)域長(cháng)期存在的科研和市場(chǎng)“兩張皮”“大科技小產(chǎn)業(yè)”等問(wèn)題。也將有效助力消除科技創(chuàng )新中的“孤島現象”，使光子產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新成果更快轉化為現實(shí)生產(chǎn)力，推動(dòng)實(shí)體經(jīng)濟發(fā)展。

截至2023年末，光電子先導院先進(jìn)光子器件工程創(chuàng )新平臺已攻克30多項核心工藝開(kāi)發(fā)；完成了以VCSEL為代表的工藝平臺建設，并完成了多款產(chǎn)品的PDK發(fā)布。平臺已經(jīng)具備為光電子產(chǎn)業(yè)各類(lèi)創(chuàng )新主體提供研發(fā)、中試、檢測、工程化等全流程技術(shù)服務(wù)，將加速企業(yè)產(chǎn)品創(chuàng )新，有效推動(dòng)光子產(chǎn)業(yè)持續創(chuàng )新發(fā)展。